21

Montag, 25. September 2006, 23:59

Torsten, muesstest inzwischen laengst Mail haben. :w
Gruss
Thomas
🖖
No sé donde voy. pero estoy seguro de que yo llegue.

Daesh no tenim por!!!

22

Dienstag, 26. September 2006, 00:02

Hallo Torsten

Die 100 Ohm sind sicher für einen kleinen FET als Ausgangspunkt ganz OK.
Wenn die Schaltfrequenz außerdem recht gering ist, kann man den Steller auch eher sehr EMV-Freundlich auslegen (also relativ lange Schaltzeiten machen).

Erst bei höheren Schaltfrequenzen muß man sich die Sache genauer ansehen, dann aber neben den Strom- und Spannungsflanken auch so Effekte wie die Rückstromspitze...

servus,
Martin

K_Mar

RCLine User

Wohnort: D-76337 Waldbronn-Reichenbach (Karlsruhe) 1988-2005 Seesen/Harz; davor Hannover Modellbau seit 1974

Beruf: Dipl.Ing./Leistungselektr.entw. mW-MW z.Z.Antriebstechn.,früher Stromvers. (incl.Treiber+Messtechn.)

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23

Samstag, 30. September 2006, 13:48

Hallo,
ich muß mal auf das Einstiegsschaltbild zurückkommen:
Ich hätte Angst, das es mir bei den oberen Schaltern das Gate zerlegt.
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt bei IRL3803 16V. In der Schaltung wird das Gate bei "AUS" gegen GND/ - Ubatt gezogen. Wenn der untere Transistor taktet und vom oberen (AUS) die Diodenfunktion(Freilauf) genutzt wird kann beim Abschalten des unteren Tr (kommutieren vom unteren Tr in die Freilaufdiode) das "springende" Potential" bei vollem Akku durchaus über 16V steigen, was einer Ugs vom über -16V entspricht und ungesund fürs Gate ist.

Gruß Klaus
(Entwicklungsing. Leistungselektronik)
Fahrzeuge auf dem Wasser bewegen macht Spaß und ist ein optimaler Testbereich für Elektronikentwicklungen

24

Samstag, 30. September 2006, 19:36

Hallo!

Abgesehen davon...

Hab' ich etwas übersehen oder falsch interpretiert? Man kann einen Highsider N-Kanal-Fet nicht mit einem GND-bezogenen Gate ansteuern.

servus,
Martin

Dieser Beitrag wurde bereits 1 mal editiert, zuletzt von »MaGo« (30. September 2006, 19:37)


K_Mar

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25

Montag, 2. Oktober 2006, 12:47

Hallo Martin,
man kann schon, sollte aber beachten, das der Steuerbezug des Gates der Source ist und selbiger ist im Taktbetrieb ein springendes Potential. In der Leistungselektronik ist üblich (da es für große Leistungen nur N-KanalFet`s/IGBT`s gibt) den oberen Schalter als N auszulegen, dieser hat dann aber eine potentialfreie Ansteuerung aus seinen S bezogen, die "mitfliegt". Bei kleinen Leistungen mit einer Versorgungsspannung zwischen 5 und 10V würde ich den oberen Schalter immer als P-KanalMOSFET ausführen ( hier gibt`s auch gute Typen) . Die Schaltung N als oberer Schalter macht nur Sinn im Spannungsbereich 0-6V.
Gruß Klaus
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26

Montag, 2. Oktober 2006, 12:56

Hallo Klaus!

Schon klar, aber ein normales Logik-Gate hat im High-Zustand eben nur 5V, wenn überhaupt. Wenn der FET eine Spannung von sagen wir 3V braucht, um den Laststrom zu tragen, darf die Zwischenkreisspannung nur noch 2V betragen. Schon bei 1S Lipo müßte man entsprechend einen FET haben, der den vollen Laststrom bei 0,8V tragen kann...

servus,
Martin

K_Mar

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27

Montag, 2. Oktober 2006, 13:54

Hallo,
bei den kleinen Leistungen und Spannungen würde ich`s "oben" mal mit einem IRF7220 versuchen.
P.S. Ich habe vor längerem mir mal einen Steller entwickelt 35x16mm in SMD ohne uC , der würde genau die Zwecke erfüllen US je IRF7413 // OS IRF7220 oder IRF7416 (je nach Spannung)
Gruß Klaus
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K_Mar

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28

Montag, 2. Oktober 2006, 17:42

Hallo,
ich muß noch einen draufsetzen: THEMA SCHALTGESCHWINDIGKEIT/ GATEWIDERSTAND

Meine Steller arbeiten alle mit Taktfrequenz > 16kHz und da ich getrennte Treibertransistoren einsetze, kann ich zum Ein- und Ausschalten getrennte Widerstände setzen. Die sind z.B. für den IRF7413 (unterer Schalter) für das Ausschalten direkt der Kanalwiderstand von ca. 6 Ohm des BSS123 ( dieser schaltet das Gate ohne R gegen Source) , das Einschalten übernimmt ein BSS84 mit Rds 10Ohm + ein 33Ohm Widerstand, Gesamt ca. 43Ohm.

Die Störungen holt man sich immer durch falschen Aufbau und nur bei extrem schnellen Schalten durch selbiges.
Diverse Regel:
1.Leitungen zwischen Steller und Motor kurz.
2.Der Kreis US - OS - EinspeiseC muß räumlich extrem klein sein, da die Induktivität dieses Kreises die Schaltüberspannungen verursacht . UND DIE STÖREN MÄCHTIG.
3. Häuftiger Fehler bei der Motorentstörung:
Zwischen Steller und Motor(auch in den Motor) gehören keine C`s, nicht zwischen die Anschlüsse und nicht gegen Motorgehäuse. Zwischen Steller und Motor dürfen nur Entsördrosseln geschaltet werden. Die Enstörkondensatoren gehören zwischen Batt +/- sowie -Batt und Motorgehäuse, aber nur mit kurzen Leitungen ( unter 20mm).
Die allseits beliebten (und zu Zeiten nichtgetakteter Steller auch richtig) Entstör-C`s zwischen den Leitungen erzeugen bei getakten Steller beim Takten selbiger nur Stromimpulse die stören und die Endstufentransistoren mit Verlustleistung heizen lassen, die C`s gegen das Motorgehäuse koppelt bei getakten Steller die Spannungflanken auf selbiges, welches dann als Störantenne dient.

Beachtet alles kann man auch ohne Störungen schnell und verlustarm Schalten / Takten

Gruß Klaus
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Dieser Beitrag wurde bereits 1 mal editiert, zuletzt von »K_Mar« (2. Oktober 2006, 17:44)